|
1956年,在我国十二年科学技术发展远景规划中,半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一。为了创建中国半导体科学技术的研究发展基地,国家于1960年9月6日在北京成立中国科学院半导体研究所(以下简称半导体所),开启了中国半导体科学技术的发展之路。
半导体所拥有3个国家重点实验室——半导体超晶格国家重点实验室、集成光电子学国家重点联合实验室、表面物理国家重点实验室;2个国家级研究中心——国家光电子工艺中心、光电子器件国家工程技术研究中心;6个院(省)重点实验室——中科院半导体材料科学重点实验室、中科院固态光电信息技术重点实验室、射频集成电路与系统北京市重点实验室、低维半导体材料与器件北京市重点实验室、无机可延展柔性信息技术北京市重点实验室、半导体神经网络智能感知与计算技术北京市重点实验室;3个省级工程技术研究中心——全固态激光先进制造北京市工程技术研究中心、半导体微纳集成北京市工程技术研究中心、第三代半导体材料及应用北京市工程技术研究中心;1个院研发中心——中国科学院半导体照明研发中心;另有光电子研究发展中心、纳米光电子实验室、半导体集成技术工程研究中心、高速电路与神经网络实验室、光电系统实验室等5个所级研究单元。
半导体研究所现有职工600余名,其中科技人员约500名,中国科学院院士6名,中国工程院院士2名。
半导体所秉承“以人为本、创新跨越、唯真求实、和谐发展”的办所理念,奋斗不息,勇攀高峰,取得了快速发展,研究所已逐渐发展成为集半导体物理、材料、器件研究及其系统集成应用于一体的国家级半导体科学技术的综合性研究机构。
根据半导体所发展需要,2018年度拟招聘科研岗位人员若干,欢迎有志献身半导体科学研究事业的人才加入到我们的队伍中来。
一、 招聘需求
岗位序号
| 部门
| 岗位职责
| 学历/学位
| 专业领域
| 是否应届生
| 1
| 材料室
| 半导体金刚石材料和器件研究
| 硕士或博士
| 物理类、材料科学与工程类
| 是
| 2
| 材料室
| III-V族半导体材料生长和器件工艺
| 硕士或博士
| 物理类、材料科学与工程类
| 是
| 3
| 材料室
| 半导体材料物理、器件物理、测试表征
| 硕士或博士
| 物理类、电子科学与技术类
| 是
| 4
| 材料室
| 半导体材料生长、器件制备研究
| 博士
| 电子科学与技术类、物理类
| 是
| 5
| 材料室
| 科研助理
| 本科
| 电子科学与技术类、物理类
| 是
| 6
| 材料室
| 硅基III-V材料生长与器件制备
| 硕士或博士
| 微电子学与固体电子学
| 是
| 7
| 材料室
| GaN基电子材料与器件研制
| 博士
| 材料科学与工程类、电子科学与技术类
| 是
| 8
| 材料室
| 研究组MOCVD设备运行操作与维护
| 本科
| 电气工程类、材料科学与工程类
| 是
| 9
| 材料室
| 超净间以及相关工艺设备的运行操作与维护
| 本科
| 电气工程类、机械工程类
| 是
| 10
| 材料室
| 单晶生长、抛光、清洗
| 博士
| 工学 物理类
| 是
| 11
| 超晶格室
| 半导体光电材料理论预言和设计
| 博士
| 物理类
| 是
| 12
| 超晶格室
| 锑化物半导体红外光电器件的设计和器件制备研究
| 博士
| 微电子学与固体电子学
| 是
| 13
| 超晶格室
| 锑化物半导体光电材料理论模拟、材料外延研究
| 博士
| 微电子学与固体电子学
| 是
| 14
| 超晶格室
| 磁性材料的磁光测量、时间分辨光谱和自旋噪声谱研究
| 博士
| 凝聚态物理
| 是
| 15
| 超晶格室
| 低维纳米器件的制备
| 博士
| 凝聚态物理
| 是
| 16
| 高速电路室
| 形象思维认知计算新理论与新方法研究
| 博士
| 电路与系统
| 是
| 17
| 工程中心
| 高功率半导体激光器的封装技术
| 博士
| 物理电子学
| 是
| 18
| 工程中心
| 功率半导体激光器工艺操作
| 本科或硕士
| 无要求
| 不限
| 19
| 光电子中心
| 光电器件的研发和实用化;单光子和超宽带探测研究
| 本科及以上
| 物理类、电子科学与技术
| 是
| 20
| 光电子中心
| 高速光通信系统研发
| 硕士或博士
| 电路与系统
| 不限
| 21
| 光电子中心
| 硅基光子器件术研究
| 博士
| 微电子学与固体电子学
| 不限
| 22
| 光电子中心
| 电子线路设计
| 本科及以上
| 电子科学与技术类
| 否
| 23
| 光电子中心
| 嵌入式软件开发
| 本科及以上
| 信息与通信工程类
| 否
| 24
| 光电子中心
| 课题组项目申请及相关科研工作
| 博士
| 微电子与固体电子学
| 否
| 25
| 光电子中心
| 从事GaN基激光器研究
| 博士
| 微电子学与固体电子学
| 是
| 26
| 光电子中心
| 从事GaN基材料生长与材料物理研究
| 博士
| 微电子学与固体电子学
| 是
| 27
| 光电子中心
| 高速光子器件的微波封装设计
| 博士
| 微电子与固体电子学
| 是
| 28
| 光电子中心
| 负责半导体相关器件的制备、测试和工艺改进
| 本科或硕士
| 电气工程类、电子科学与技术类
| 不限
| 29
| 固态光电室
| 光子芯片研究
| 博士
| 电子科学与技术类
| 是
| 30
| 固态光电室
| 外延材料设计与生长
| 博士
| 微电子与固体电子学
| 是
| 31
| 固态光电室
| 量子芯片与集成
| 博士
| 物理类
| 是
| 32
| 固态光电室
| 设备操作与工艺研究
| 博士
| 微电子与固体电子学
| 是
| 33
| 集成中心
| 工艺技术服务与设备操作维护
| 专科及以上
| 电子科学与技术类
| 是
| 34
| 集成中心
| 工艺技术服务与设备操作维护
| 专科及以上
| 电子科学与技术类
| 是
| 35
| 集成中心
| MEMS器件制作与电路设计
| 博士
| 电子科学与技术类
| 是
| 36
| 照明中心
| 半导体材料及器件工艺研究
| 硕士或博士
| 材料科学与工程类、电子科学与技术类
| 不限
| 37
| 照明中心
| 半导体材料及器件工艺研究
| 硕士或博士
| 材料科学与工程类、电子科学与技术类
| 不限
| 38
| 照明中心
| 半导体材料及器件工艺研究
| 硕士或博士
| 材料科学与工程类、电子科学与技术类
| 不限
| 39
| 照明中心
| 半导体材料及器件工艺研究
| 硕士或博士
| 材料科学与工程类、电子科学与技术类
| 不限
| 40
| 照明中心
| 负责设备的日常操作与基本维护
| 本科及以上
| 材料科学与工程类、电子科学与技术类
| 不限
| 41
| 照明中心
| 负责设备的日常操作与基本维护
| 大专及以上
| 材料科学与工程类、电子科学与技术类
| 不限
| 42
| 照明中心
| 负责设备的日常操作与基本维护
| 大专及以上
| 材料科学与工程类、电子科学与技术类
| 不限
| 43
| 照明中心
| 负责设备的日常操作与基本维护
| 大专及以上
| 材料科学与工程类、电子科学与技术类
| 不限
| 44
| 照明中心
| 负责设备的日常操作与基本维护
| 大专及以上
| 材料科学与工程类、电子科学与技术类
| 不限
| 45
| 照明中心
| 负责设备的日常操作与基本维护
| 大专及以上
| 材料科学与工程类、电子科学与技术类
| 不限
| 46
| 纳米室
| 探测器性能测试及器件制作
| 中专及以上
| 电子科学与技术类、物理类
| 否
| 47
| 纳米室
| 化合物半导体器件结构的外延生长、系统维护、测试分析
| 本科及以上
| 物理类、材料类
| 不限
| 48
| 纳米室
| 材料外延设计与生长、测试与分析
| 博士
| 电子科学与技术类、物理类、材料类
| 不限
| 49
| 纳米室
| 半导体器件设计
| 硕士
| 电子科学与技术类、物理类
| 不限
| 50
| 纳米室
| 半导体器件工艺溅射、CVD等
| 本科
| 电子科学与技术类、物理类
| 不限
| 51
| 纳米室
| 光电探测器器件物理、器件设计与测试分析
| 博士
| 电子科学与技术类、物理类、材料类
| 不限
| 52
| 纳米室
| 半导体器件工艺光刻、刻蚀等
| 本科
| 电子科学与技术类、物理类
| 不限
| 53
| 全固态室
| 激光器技术研究
| 博士
| 材料科学与工程类
| 是
| 54
| 全固态室
| 激光器控制技术研究
| 硕士或博士
| 光学工程类、电气工程类
| 是
| 55
| 光电系统室
| IF电路设计/模拟电路设计/数字电路/高频电路设计
| 本科及以上
| 电子科学与技术、信号与信息处理
| 是
|
二、 招聘方式及程序
1. 应聘者须填写《中国科学院半导体研究所岗位应聘申请表》,并以电子邮件方式发送至:zhaopin@semi.ac.cn。邮件标题及应聘申请表名称请注明“岗位序号-生源地-学历-毕业院校-专业-姓名”(“生源地”的填写仅限应届生),举例:12-北京-硕士-清华大学-凝聚态物理-张三。
2. 本招聘启事有效期至2017年12月31日。通过资格初审的应聘者参加面试,面试时间和地点将另行通知。初选不合格者不再另行通知。
三、 联系方式
地 址:北京市海淀区清华东路甲35号,中科院半导体研究所人事处 王老师
邮 编:100083
点击 阅读原文 下载附件 |
|